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功率场效应管 双N-MOSFET
规格型号
产品图片
沟道类型
漏源电压 Max
栅源电压 Max
阀值电压 Typ
漏极电流 Max
导通电阻 10V
导通电阻 4.5V
导通电阻 2.5V
导通电阻 1.8V
封装形式
规格书
QNND3400T26
N+N
30
±12
1
5.8
17
20
31
-
SOT23-6L
QNND03T26R20
N+N
30
±20
1.5
5.6
21
27
-
-
SOT23-6L
QNND02T26R20
N+N
20
±12
0.75
4
-
25
32
-
SOT23-6L
QNSMNGD6001
N+N
60
±20
1.3
5.3
26
29
-
-
SOP8
QNND04S8R20
N+N
40
±20
1.5
6
18
23
-
-
SOP8
QNND03S8RD20
N+N
30
±20
1.4
5.6
20
25
-
-
SOP8
QNND03S8R13
N+N
30
±20
1.7
15
15
21
-
-
SOP8