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功率场效应管 双N-MOSFET


 

规格型号 产品图片 沟道类型 漏源电压 Max 栅源电压 Max 阀值电压 Typ 漏极电流 Max 导通电阻 10V 导通电阻 4.5V 导通电阻 2.5V 导通电阻 1.8V 封装形式   规格书  
QNND3400T26 N+N 30 ±12 1 5.8 17 20 31 - SOT23-6L
QNND03T26R20 N+N 30 ±20 1.5 5.6 21 27 - - SOT23-6L
QNND02T26R20 N+N 20 ±12 0.75 4 - 25 32 - SOT23-6L
QNSMNGD6001 N+N 60 ±20 1.3 5.3 26 29 - - SOP8
QNND04S8R20 N+N 40 ±20 1.5 6 18 23 - - SOP8
QNND03S8RD20 N+N 30 ±20 1.4 5.6 20 25 - - SOP8
QNND03S8R13 N+N 30 ±20 1.7 15 15 21 - - SOP8

 

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