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功率场效应管 混合型N+P-MOSFET
规格型号
产品图片
沟道类型
漏源电压 Max
栅源电压 Max
阀值电压 Typ
漏极电流 Max
导通电阻 10V
导通电阻 4.5V
导通电阻 2.5V
导通电阻 1.8V
封装形式
规格书
QNSMCM2001
N+P
20/-20
±12
0.8/-0.7
4/-2
-
25/74
33/95
-
SOT23-6L
QNNP03T26B
N+P
30/-30
±20
1.45/-1.65
5.6/-4.1
21/42
28/58
-
-
SOT23-6L
QNNP03T26
N+P
30/-30
±20
1.5/-1.5
5.8/-4.4
20/39
26/52
-
-
SOT23-6L
QNCM4606
N+P
30/-30
±20
1.5/-1.65
5.6/-4.1
20/38
26/55
-
-
SOP8